典型案例

集成电路可靠性设计与验证

    超大规模集成电路主要的三个失效机理分别是热载流子注入效应、金属化电迁移和氧化层的TDDB击穿。集成电路工业的可靠性评价验证,就是利用微电子测试结构,通过加速试验获取基本的可靠性参数和和可靠性信息,确认工艺的可靠性水平。从而找出存在的可靠性缺陷,确保整个产品寿命器件有良好的可靠性。

    TBK检测中心依托专业的技术专家团队、丰富的设备资源以及业内领先的案例数据库,可以为您提供一整套的集成电路验证服务。

 

 


电迁移:

   电迁移现象是运动中的电子与金属原子相互交换能量的结果。因此铝原子在与电子流运动相同的方向迁移时,会在原有位置上产生空洞。在空洞逐渐扩大到与金属导线相同宽度时,就会使金属线断开。

热载流子效应:

    当器件特征尺寸减小到1微米以下时,沟道电场在漏端形成强电场区。强电场使得一部分沟道电子具有一定的能量,当能量大于电子跃迁到氧化层势垒高度时,发生电子到氧化层的跃迁,这部分电子成为热电子。跃迁到氧化层的电子被氧化层陷阱俘获时,会产生氧化层电荷和界面态,引起器件参数退化,这种现象称为热载流子注入效应。

氧化层的TDDB击穿:

    栅氧化层质量直接关系到器件的电性能和可靠性。当有电荷注入时,会造出共价键断裂,产生缺陷,这些缺陷通过陷阱(包括界面态)体现出来。介质击穿分为本征击穿和与缺陷相关的击穿。本征击穿的机理和材料性质有关,与缺陷相关的击穿与Poly/Si/SiO2的界面不平整有关。

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